檢索結果：共13筆資料 檢索策略： "Ying-Sheng Huang".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="氧化鋅"
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本實驗以Zn+ZnO當作反應源，利用鋅蒸氣氧化法成長氧化鋅一維材料，並討論不同觸媒、不同觸媒製備方式、不同基板、複合觸媒以及基板粗糙度對氧化鋅一維材料成長之影響。 在觸媒的選擇上，我們使用了Sn…
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本實驗主要探討熱退火溫度對於二氧化鈦(Titanium dioxide, TiO2)與氧化鋅(Zinc oxide, ZnO)的影響, 光電導效率及表面物理機制. 利用定義歸一化增益(Γn), 去除…
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由於染料敏化太陽能電池之電子電洞對是由受光激發之染料所產生，因此增加染料敏化太陽能電池之光電轉換效率最有效的方法即為增加其陽極之導電性及可用的表面積。為了增加染料的吸附面積，本實驗利用垂直配向之奈米…
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此實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜，採用陽極層離子源，以鋅為靶材，同時通入氬氣、氧氣及氮氣，探討氧/氮流量對摻氮氧氧化鋅薄膜的特性影響。實驗結果顯示在氧流量0.5 ~ 4.0 sccm，…
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本文使用反應式離子束濺鍍沉積法，在晶向(100)的矽基板上成長氧化鋅薄膜，觀察不同成長溫度、氧通量和基板偏壓對薄膜造成的影響。300℃時，有弱的近能隙發光和強的綠光缺陷發光；500℃時，有強的近能隙…
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本文藉由改變離子束轟擊角度，使Si (100) 基板表面產生不同波長之波紋形貌；使用反應式離子束濺鍍法成長氧化鋅奈米粒子，經由改變成長時間、基板溫度，討論最佳奈米粒子成長參數；最後將奈米粒子分別沉積…
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本實驗為利用離子束能量8、12以及16 keV 沉積不同表面粗糙度的鋅薄膜，再以330、380、400以及420 ℃熱氧化成長氧化鋅奈米線。實驗結果發現只有在離子束能量為12 keV 所沉積的鋅薄膜…
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最理想化的六角形陣列之奈米碳管束使用熱化學氣相沉積法合成，為了增強奈米碳管的電子場發射特性，針形狀的二氧化釕與錐形狀的氧化鋅奈米結構分別使用金屬有機化學氣相沉積法與熱化學氣相沉積法成長於奈米碳管的表…
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以離子濺鍍法，在沈積氧化鋅薄膜同時，除了通入氬氣作為轟擊靶材之離子源，也直接加入氮氣，可將氮摻雜到氧化鋅薄膜，形成摻氮氧化鋅(ZnO:N)。以XRD分析成長溫度為300C之摻氮氧化鋅薄膜中只有氧化…
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本研究探討以離子束濺鍍法，沉積摻鉺氧化鋅薄膜(Erbium-doped ZnO, EZO)之特性。我們以層狀方式沉積EZO薄膜，藉退火使鉺與氧化鋅混合。實驗中，成功的以325 nm之He-Cd雷射，…